Vakuum-mikrosxemalar

Vikipediya, ochiq ensiklopediya
Jump to navigation Jump to search

Vakuum-mikrosxemalar -mikroelektron texnologiya asosida yaratilgan koʻp funksiyali elektron asbob. V.-m. yuqori vakuumli ballonchadan iborat boʻlib, ichida maʼlum tartibda koʻplab mikroelektrodlar joylashgan. Millionlab metall katodlarni kimyoviy usulda yaratish texnologiyasiga asoslangan. Mikroelektrodlar kremniy taglikka mahkamlanadi, soʻngra taglik ustiga ketma-ket kremniy oksid (SiO2) va yupqa metall (koʻpincha, molibden) qatlamlari joylashtiriladi. Shu usulda har 1 mm2 taglikka 10 mingtacha mikrokatod joylashtirish mumkin. Mikrokatodlar niobiy, molibden, oltin va tantaldan tayyorlanadi. Vakuumli integral mikrosxemalar quyidagi afzalliklarga ega: V.-m. yarim oʻtkazgichli mikrosxemalarga qaraganda 20 marta tezroq ishlaydi, radiatsiyaga. kuchlanish va t-ra oʻzgarishlariga chidamli; emitter atrofidagi elektr maydonini boshqarish natijasida kvant-mexanik effektlarga oson erishish mumkin; tannarxi esa oʻxshash mikrosxemalarga nisbatan yuqori boʻlmaydi. V.-m. koʻchma radioaloqa tizimlarida, issiqlikka chidamli datchiklarda, reaktiv dvigatellar yoki atom reaktorlari va b. elektron qurilmalarda qoʻllaniladi.

Adabiyotlar[tahrir]

  • OʻzME. Birinchi jild. Toshkent, 2000-yil