Kontent qismiga oʻtish

Pinch-effekt

Vikipediya, erkin ensiklopediya

Pinch-effekt (ing. pinch — torayish, kisilish) — kuchli tok oʻtayetgan gazlarda razryadning torayishi. Bu hodisani 1934-yilda amerikalik olim U. Bennet gaz-razryadli plazmadati za-ryadlangan tez zarralar oqimi uchun tad-biq qilgan. "P.-e" terminini fanga ingliz fizigi L. Tonks kiritgan (1937). Tok oʻtkazuvchi modda toʻldirilgan silindr shaklidagi razryad kame-rasining oʻqi boʻylab tok / oʻtayotganda u vujudga keltiradigan magnit maydo-nining kuch chiziqlari konsentrik aylanalar koʻrinishini oladi (aylanalar tekisligi silindr oʻqiga perpendikulyar boʻladi). Zichligi tokning zichligiga teng boʻlgan oʻtkazuvchi muhitga (moddaga) taʼsir qiladigan elektrodinamik kuch muhitni siqishga intiladi. Vujudga kelgan holat P.-e. deyiladi. P.-e.ni alohida parallel toklarning magnit tortishishi natijasi deb ham qarash mumkin. Oʻtkazuvchi muhitning gazkinetik bosimi magnit si-qishga toʻsqinlik qiladi. Lekin tok yetarli darajada katta boʻlganda magnit bosimi gazkinetik bosimdan katta boʻladi va tok kanalini siqadi, nati-jada P.-e. vujudga keladi.

P.-e. vujudga kelishi uchun muxitdagi qaramaqarshi ishorali zaryadlarning konsentratsiyasi taxminan teng boʻlishi kerak. Fazoviy zaryadlar elektr maydoni bir xil ishorali zaryadlar oqimida tokning siqilishiga qarshilik koʻrsatadi. Gaz orqali yetarli darajada katta tok oʻtganda gaz ikki xil ishorali zaryadlangan zarralardan ibo-rat ionlashgan plazma holatiga oʻtadi. Bu holda P.-e. plazma shnuri (tok ka-nali) ni razryad hosil boʻlgan kamera devoridan siqib chiqaradi. Shunday qilib, plazmaning magnit termoizo-lyasiyasi uchun sharoit yaratiladi. Oʻz-oʻzidan qisiladigan kuchli razryadlar (pinchlar)ning bu xossasidan boshqariladigan termoyadro sintezi (BTS) da yuqori temperaturali plazmani saqlab turish uchun keng foydalaniladi.

P.-e. faqat gaz rayaryadli emas, balki qattiq jismlar plazmasida, ayniqsa, yarimoʻtkazgichlarning kuchli gʻalayonlangan elektron-kovak plazmasida ham vujudga keladi.[1]

  1. OʻzME. Birinchi jild. Toshkent, 2000-yil