Gann diodi

Vikipediya, ochiq ensiklopediya
Jump to navigation Jump to search

Gann diodi— ikki elektrodli r-p oʻtishsiz yarimoʻtkazgich asbob. Unda elektr magnit tebranishlarni generatsiyalash yoki kuchaytirishda Gann effektidan foydalaniladi. Eng koʻp qoʻllaniladigan Gann generatorlari boʻlib, ular GaAs yoki JnP monokristallaridan yasalgan, qalinligi 1,5—10 mkm va diametri 20—150 mkm boʻlgan diskdan iborat. Diskning qarama-qarshi tomonlariga metall kontaktlar qoplanadi. G.d. oʻta yuqori chastotalar zanjirining faol elementi tarzida xizmat qiladi. Uning ish chastotalari -10-120 GGs, f.i.k. -210%. Uzluksiz maromdagi quvvati -200 MVt, impuls maromda (~10GGs chastotada) 200 Vt.

Adabiyotlar[tahrir]

  • OʻzME. Birinchi jild. Toshkent, 2000-yil