Bu maqola oʻzbek tilining imlo qoidalariga muvofiq yozilmagan. Qarang: VP:ORFO. Iltimos, bu sahifani tekshirib, undagi xatolarni oʻnglang.
Karimov Abdulaziz Vahitovich
Karimov Abdulaziz Vahitovich (1944-yil 11-yanvar — 2020-yil 23-iyun Toshkent) — olim, ixtirochi, fizik, fizika-matematika fanlari doktori, professor.
1944-yil 11-yanvarda Toshkent shahrida tugʻilgan, 1952-yildan 1962-yilgacha Maksim Gorkiy nomidagi 90-maktabda ta'lim olgan.
Toshkent pedagogika institutining fizika-matematika fakultetini tamomlagan. Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar akademiyasi „Fizika-Quyosh“ ilmiy-ishlab chiqarish birlashmasi Fizika-texnika institutida bosh ilmiy xodim boʻlgan. 40 dan ortiq ixtirolar muallifi va hammuallifi. Yarimoʻtkazgichli optoelektronika sohasida ixtirochi. Ixtirolari: Karimovning uch toʻsiqli fotodiodi (Oʻz patenti 1994 y.), dala effektli termotranzistor (1998) va boshqalar.
Adolatga, olijanoblikka, yoshlikni saqlashga, begʻaraz yordamga, yaxshi tabiatga rioya qilgan.
Abdulaziz Karimovning ilmiy faoliyati epitaksial koʻp qatlamli tuzilmalardagi fizik hodisa va jarayonlarni oʻrganish va ularning fizik asoslarini ishlab chiqish, yarim oʻtkazgich qurilmalarining yangi sinfini yaratish bilan bogʻliq. Ijodiy faoliyati davomida 450 dan ortiq ilmiy maqolalar, ikkita monografik toʻplam, bitta monografiya va bitta oʻquv qoʻllanmasi chop etilgan, 40 dan ortiq ixtirolarning hammuallifi hisoblanadi.
U rahbarlik qilgan ilmiy yoʻnalishda 2 ta doktorlik va 9 ta nomzodlik dissertatsiyalari himoya qilingan. Bu ilmiy ishlar yarimoʻtkazgichli tuzilmalardagi optoelektrik jarayonlarni oʻrganish va ular asosida yangi avlod diod va tranzistorli konstruksiyalarni yaratishga bagʻishlangan.
Oʻzbekistonda Abdulaziz Karimov rahbarligida 90-yillarda birinchi marta ichki fotoelektrik kuchaytiruvchi koʻp toʻsiqli fotodiodli konstruksiyalarning texnologiyasining fizik asoslari va original loyihalari ishlab chiqildi va olindi [Karimov A. V. Uch toʻsiqli fotodiod. SSSR patenti. * 1676399. 08.05., 1991. Karimov AV. Uch toʻsiqli fotodiod. Oʻzbekiston Patent raqami. 933. 15.04. 1994., Fanlar akademiyasi hisobotlari. OʻzSSR No 12, 1990, 17-18-betlar].
Koʻp toʻsiqli tuzilmalar yildan-yilga kengaytirilgan funksionallikka ega yangi dizaynlar bilan toʻldiriladi. Ikki toʻsiqli tuzilmalarida topilgan inʼektsiya va maydon effektlari ish kuchlanishidan oʻchirilgan spektr diapazoniga ega boʻlgan inʼektsiya maydoni fotodiodining asosini tashkil qiladi [A. V. Karimov, D. M. Yodgorova. Inʼektsion turdagi dala-emissiya fotodiodi., Radioelektronika va aloqa tizimlari — № 2. 2006. p. 55-59].
Uning ilmiy natijalari keng geografiyani qamrab oluvchi turli nashrlarda (Elektronika, Asboblar va eksperimental texnologiyalar, Yarimoʻtkazgichlar, Texnik fizika harflari, Radioelektronika va aloqa tizimlari, Yarimoʻtkazgichlar fizikasi kvant elektroni Optoelektronika jurnali, Muhandislik fizikasi jurnali) chop etilgan.
Gofrirovka qilingan fotoqabul qiluvchi sirtli ikki toʻsiqli tuzilmalarning spektral xususiyatlarini oʻrganish natijalari diqqatga sazovordir [A. V. Karimov, D. M. Yodgorova, E. N. Yoqubov. Gofrirovka qilingan fotoqabul qiluvchi yuza tuzilmalarini tadqiq qilish.// Yarimoʻtkazgichlar fizikasi kvant elektroni Optoelektronika jurnali. 2004-yil Vol. 7. No 4, b. 378-382], shuningdek, spektrning nopoklik hududida sezgir (A. V. Karimov, D. M. Yodgorova, F. A. Gʻiyosova, T. M. Azimov, U. M. Buzrukov, A. A. Yakubov).
Fotoelektrokonvertatsiya qiluvchi tuzilmalarning fotoelektrik xarakteristikasining oʻziga xos xususiyatlari. (Elektron uskunalarda texnologiya va dizayn. 2007. No 4, 23-28-betlar). Klassik bir toʻsiqli fotodiodli tuzilmalar bilan taqqoslaganda, ishlab chiqilgan tuzilmalar 5 dan 15 A / Vt gacha boʻlgan yuqori fotosensitivlik qiymatlariga ega boʻldi, bu maʼlum boʻlgan (0,5-1 A / Vt) dan bir yarim baravar yuqori. analoglari.
Xalqaro konferensiyalarda faol ishtirok etdi, 2002-yil 13-17-oktyabrda Pragada, 2003-yil 23-25 iyunda Berlinda, 2004-yil 7-11-iyunda Parijda, 2004-2007 yillarda Kiev va Odessada fotokonvertorlardagi fizik jarayonlar boʻyicha xalqaro konferensiyalarda maʼruzalar qildi, fotodiodlar, fototranzistorlar va p-n-oʻtishlardagi fizik jarayonlar muammolari boʻyicha.
Boku va Odessada (2004-2007) axborot va elektron texnologiyalar boʻyicha oʻtkazilgan konferensiyalarning tashkiliy qoʻmitasi aʼzosi boʻlgan.
Abdulaziz Karimov UZB-31 "Yangi tuzilmalar asosida quyosh energiyasi fotokonvertorlarini yaratish: „Ion-nurli modifikatsiyalangan va olmossimon qatlamlar-koʻp kristalli kremniy“" xalqaro grantlarining faol ijrochisi boʻlgan. va UZB-56(J)da „geteroepitaksial birikmalari bilan mikrorelyefli fotokonvertorlarni ishlab chiqish va tadqiq qilish“ 01.10.2002 — 31.12.2004.
Mukofotlar 2008 −2009 Karimov Abdulaziz Kim Kimdir sertifikati
Abdulaziz Karimov va uning shogirdlari axborotni qabul qilish va qayta ishlash uchun fotoqabul qiluvchi tuzilmalarning yangi avlodini yaratish muammolari ustida ishladilar. Abdulaziz Karimov oʻz sohasining yetuk mutaxassisi boʻlib, yetakchi mutaxassislardan biri sifatida „10 yillik“ tarjimai holi toʻplamiga kiritilgan. 2007-yil dekabr oyida nashr etilishi rejalashtirilgan Fan va muhandislik sohasida Kim Kimdir / Marquis Whoʻs Who / Whoʻs Who in Science and Engineering.
2020-yilda Yuridik shaxslar uyushmasi tomonidan tashkil etilgan Mustaqil Davlatlar Hamdoʻstligining ilmiy va taʼlim muassasalari oʻrtasida „Eng yaxshi yosh olim-2020“ I xalqaro nashri" loyihasida yosh olimlarga koʻrsatgan koʻmagi uchun taqdirlandi. „Milliy Bobek Harakati“ birlashmasi — Nur-Sulton, Qozogʻiston, 2020-yil 13-17-mart, № 091.
Abdulaziz Vaxitovich Oʻzbekiston va Belarus mutaxassislari oʻrtasida mustahkam ilmiy-ishlab chiqarish aloqalarini oʻrnatish tashabbuskorlaridan biri edi. Uning bevosita ishtirokida 2019-yilda „Oʻzbekiston Respublikasi M.Ulugʻbek nomidagi Milliy universiteti qoshidagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti, Innovatsion-sanoat klasteri oʻrtasida hamkorlik toʻgʻrisida“gi "Mikro-, Opto- va „Mikrotoʻlqinli elektronika“ va „Planar“ OAJ, Belarus Respublikasi.
Avtorskoe svidetelstvo № 1676399. Trexbarerniy fotodiod Karimova / Karimov A. V. // 08.05.1991.
Karimov A. V. Fotoelektricheskoe usilenie v trexbarernoy strukture // Lazernaya texnika optoelektronika. 1993, № 3. S. 83-85.
Karimov A. V. „Three-barrier photodiode structure“. 15-International Workshop on Shallenges in Predictive Process simulation Prague, Czech Republic, 13-17 October 2002. rr.71-72.
Karimov A. V., Yodgorova D. M. Odno i dvux barernie strukturi dlya optoelektroniki. // Elektronika. — Minsk; 2005. № 11. S. 5-13.
Karimov A. V., Yodgorova D. M. Opredelenie xarakteristik dvuxbarernix fotodiodnix struktur s metallo-poluprovodnikovimi perexodami // Texnologiya i konstruirovanie v elektronnoy apparature. — Odessa, 2005. № 5. S. 27-30.
Yodgorova D. M., Karimov A. V., Ashrapov F. M. Mexanizmi tokoproxojdeniya v geterostrukture. Uzbekskiy fizicheskiy jurnal 2006, № 1-2, S. 26-35.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Zoirova L.Kh. Determination of potential distribution of in a three-barrier structure. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. -Kyiv, 2006. V.9. № 3. -rr. 35-39.
Karimov A. V., Giyasova F. A., Yodgorova D. M. Issledovanie fotoelektricheskix xarakteristik Ag-nGaAs:O-n+GaAs-struktur s barʼerom Shottki // Dokladi AN RUz. -Tashkent, 2007. № 5. S. 29-33.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Giyasova F. A., Saidova R. A. Funksionalnie vozmojnosti izotipnix Ag-NAlGaAs-nGaAs-nGaInAs-Au-struktur s izotipnoy bazovoy oblastyu // Injenerno-fizicheskiy jurnal. — Minsk: 2008. T.81. № 5. S. 1005—1009.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulxaev O. A. i dr. Mnogofunksionalnaya gomoperexodnaya arsenidgallievaya n-p-m-struktura. // Texnologiya i konstruirovanie v elektronnoy apparature. Odessa, 2009. № 6 (84). S. 31-34.
Patent RUz № IAP 04059. Sposob epitaksialnogo naraщivaniya poluprovodnikovix materialov putyom smeщivaniya rastvorov-rasplavov / Karimov A. V., Yodgorova D. M., Baxranov X. N. i dr. // Rasmiy axborotnoma. — 30.11.2009. № 11
Patent RUz №IAP 03930. Ustroystvo dlya polucheniya diffuzionnix i epitaksialnix sloev poluprovodnikovix soedineniy A3V5 / Yodgorova D. M., Karimov A. V., Abdulxaev O. A. i dr. // Rasmiy axborotnoma. — 2009. № 5.
Patent RUz № IAP 03936. Ustroystvo jidkostnoy epitaksii kolseobraznix sloev na osnove soedineniy A3V5 / Yodgorova D. M., Karimov A. V., Giyasova F. A. i dr. // Rasmiy axborotnoma. — 2009. № 5.
Patent RUz № IAP 04244. Mnogofunksionalniy poluprovodnikoviy pribor/ Yodgorova D. M., Karimov A. V., Giyasova F. A. i dr. // Rasmiy axborotnoma. — 2010. № 8.
Patent RUz № IAP 03974. Injeksionno-polevoy fotodiod / Yodgorova D. M., Karimov A. V., Ashrapov F. M. i dr. // Rasmiy axborotnoma. — 2009. № 7.
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkaev O. A. Physical principles of photo-current generation in Multi-Barrier Punch-Throungh-Structures Second chapter of book „Photodiodes — World Ac-tivities in 2011“ edited by Jeong-Woo Park. — InTech, 2011. — pp. 23-36. [ISBN 9789533075303].
Patent RUz № IAP 05120. Mnogofunksionalniy datchik na osnove polevogo tranzistora/ Karimov A. V., Yedgorova D. M., Abdulxaev O. A.// 12.10.2015
Patent RUz IAP 06181 Patent RUz „Photoconverter with avalanche multiplication“/ Karimov A. V. IAP 06181 March 2020.
Karimov A. V. Trexbarerniy fotodiod Karimova. Avtorskoe svidetelstvo № 167399 ot 8 maya 1991 g.,
Mnogofunksionalnie arsenidgallievie tonkoperexodnie strukturi / A. V. Karimov ; AN Resp. Uzbekistan, Fiz.-texn. in-t im. S. V. Starodubseva NPO „Fizika — Solnse“,
Karimov A. V., Yodgorova D. M., Zoirova L. X. Temperaturnie effekti v trexbarernoy m1-pAlGaInAs-nGaAs-m2-strukture. // Respublikanskaya konferensiya: Fundamentalnie i prikladnie problemi sovremennoy fiziki 18-19 maya 2007. -Tashkent, 2007. 2-tom. -S.170-171.,
Karimov A. V. Three-junction Au/AlGaAs(n)/GaAs§/Ag photodiode / A. V. Karimov, D. A. Karimova // Materials Sci. Semiconductor Process. — Feb.-June 2003. — Vol. 6, Nos. 1-3. — R. 137—142.
A. V. Karimov, D. M. Yodgorova and O. A. Abdulkhaev\\Photodiodes — World Activities in 2011\\ Chapter 2 Physical Principles of Photocurrent Generation in Multi-Barrier Punch-Through-Structures
